三极管是一种晶体管。它有三种区域：发射区，基区，集电区。

PNP型三极管的发射区是一个掺有轻度杂质硼的负型半导体，基区是一个掺有高度杂质硼的正型半导体，集电区是一个掺有轻度杂质硼的负型半导体。

NPN型三极管与PNP型三极管正好相反，即发射区是一个掺有轻度杂质砷的正型半导体，基区是一个掺有高度杂质砷的负型半导体，而集电区是一个掺有轻度杂质砷的正型半导体。

PNP型及NPN型三极管的导通条件

当PNP型三极管的基电压为负值时，P型半导体在结上的空穴将会被进一步取代，而N型半导体中的电子将朝着负基极流动，这将导致P型发射区中的空穴被激发。

另一方面，当NPN型三极管的基电压为正值时，电子将会从N型发射区向P型基区流动以代替离子，这将导致P型基区中的空穴被激发。

当空穴进入P型基区时，发射区中的空穴和基区中被激发的空穴则会结合成一个更高能级的低降低能量的原子。

当这个隧穿二极管被激励时，当基极电压涨高时，由于隧穿电流非常敏感，所以在基础电压增加时，即使增加的数量非常小，也会引起大量的电流通过隧穿结，并形成一个隧穿集电极电流。

如果集电区外加一个电压源，并且该电压源在隧穿二极管的涌现电压以下，则当集电区的电流达到一定的电流时。

隧穿二极管的电流将从隧穿结流向这个电压源的正极，然后从负极回到基极，形成一个大的基极电流。

对于PNP三极管，如果对它施加的电源电压足够高，在发射区和集电极之间就会形成一个具有正值的电场，这个电场会对电子产生吸引作用，使电子穿过基区并流入集电区。

在NPN三极管中，如果这样的电磁场是由基极电压产生的，电子将通过基区并进入发射区。因此，PNP和NPN三极管导通的关键取决于基区的电势差。

当基区电压较高时，P型掺杂离子与N型掺杂离子结合会变得更加难以穿过基区，电子也会变得更加难以进入集电区，从而阻碍三极管的导通。

但当基区电压下降，可通过的电子和正洞的数量增加，电流可以流过三极管，三极管会导通。

PNP型及NPN型三极管的导通需要满足基区的电势差。当基区电压下降，可通过的电子和正洞的数量增加，电流可以流过三极管，三极管会导通。

PNP型和NPN型三极管导通的条件不同，但掌握其导通条件对于研究三极管和电子器件的工作原理和功能至关重要。